Silicio plokštelų dengimas dielektriku. Dengimo būdai


Integrines mikroschemos. Paviršiaus dengimas dielektriku. Epitaksija. Epitaksinis augimas.

Elektronikos referatas. Įvadas. Oksidavimas. Difuzija. Epitaksija. Fotolitografija. Kiti formavimo būdai. Naudota literatūra.


Epitaksija – tai vienodai tarp savęs orientuotų kristalų augimas ant tos pačios ar kitos kristalinės medžiagos padėklo. Epitaksijos būdu ant monokristalinio silicio plokštelės išaugintas monokristalinio silicio sluoksnis vadinamas epitaksiniu. Epitaksija naudojama ten kur reikia sudaryti daugiau kaip tris skirtingų koncentracijų sluoksnius. Be to, ji būtina, kai integrinės mikroschemos elementai izoliuojami pn sandūra ir kai priemaišos turi būti įterptos tam tikru atstumu nuo paviršiaus. Šiuo atveju į plokštelę difuzijos būdu įterpiamos priemaišos, o po to ant viršaus išauginamas epitaksinis sluoksnis. Epitaksija pagrįsta aplinkoje esančių atomų galimybe nusėsti ant plokštelės, judėti jos paviršiuje ir užimti atitinkamas vietas.

Dažniausiai silicis nusėsdinamas iš junginių, pavyzdžiui SiO4. Reakcija gali vykti taip: paviršius absorbuoja SiCl4 atomus, kurie patenka prie plokštelės su nešančiosiomis dujomis. Po to SiCl4 reaguoja su vandeniliu.

  • Elektronika Referatai
  • 2012 m.
  • 10 puslapių (1595 žodžiai)
  • Universitetas
  • Elektronikos referatai
  • Microsoft Word 776 KB
  • Silicio plokštelų dengimas dielektriku. Dengimo būdai
    9 - 3 balsai (-ų)
Silicio plokštelų dengimas dielektriku. Dengimo būdai. (2012 m. Birželio 08 d.). http://www.mokslobaze.lt/silicio-plokstelu-dengimas-dielektriku-dengimo-budai.html Peržiūrėta 2016 m. Gruodžio 07 d. 10:35