Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas kursinis


Elektrotechnikos kursinis darbas.

Difuzijos proceso tyrimas. Priemaišų pasiskirstymas , kai difuzijos šaltinis ribotas. Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės schemos sudarymas. Teorinė dalis. Tranzistoriaus , kaip aktyviojo keturpolio , parametrai. Lauko tranzistoriaus parametrai ir ekvivalentinės grandinės sudarimas. Teorinė dalis. Akustinės elektronikos įtaiso projektavimas. Paviršinių akustinių bangų elektriniai filtrai. Paviršinio akustinių bangų filtro fizikinių matmenų skaičiavimas. Paviršinių akustinių bangų PAB juostinio filtro skaičiavimas.


Antros Fiko lygties (6) sprendimas šiuo atveju atitinka Gauso dėsnį:

čia: D – difuzijos koeficientas (cm2/s)(apskaičiuojamas pagal (1) lygtį), t – laikas (min), No – priemaišų koncentracija bandinio paviršiuje (cm3/s), x – koordinatė.

Su MATLAB programinio paketo pagalba , atlikome skaičiavimus ir gavome priemaišų pasiskirstimo grafiką.

Su MATLAB programinio paketo pagalba gauname priemaišos srauto tankio J(0,t) ir legiravimo dozės Q(t) priklausomybes.

Iš gautu difuzinio srauto ir legiravimo dozes priklausomybių galime pastebėti, jog laikui bėgant mažėja priemaišų srauto tankis, tai dėlto kad, priemaišos į plokštelę skverbiasi per joje esančias vakansijas arba tarpmazgius. Todėl laisvu tarpmazgių ir vakansijų skaičius mažėja. Mažėjant šiam skaičiui, didės legiravimo, tai yra dėlto kad mažėja ir atomų, prasiskverbiančių į plokštelę per tam tikrą laiko tarpą, skaičius.

Šiame grafike atvaizduotas antrasis difuzijos etapas, jis apskaičiuojamas pagal priemaišų įterpimo iš riboto šaltinio modelį. Iš grafiko matyti, kad didėjant laikui t1 >t2 > t3 priemaišų koncentracija koordinatės mažėja. Legiravimo dozė nekinta, nes priemaišų atomai pro padėklo paviršių neprasiskverbia, taip kaip nekinta legiravimo dozė kreivių ribojamas plotas nekintaPriemaišos iš plokštelės paviršiaus difunduoja koordinatės didėjimo kryptimi, dėl to prie plokštelės paviršiaus priemaišų koncentracija mažėja, plokštelės gilumoje auga.

Dvipolio tranzistoriaus parametrų skaičiavimas ir ekvivalentinės schemos sudarymas. Teorinė dalis.

Kadangi grįžtamojo ryšio koeficientas labai mažas, jo reikšmės pagal tranzistoriaus charakteristikas nepavyksta nustatyti.

Kai tranzistorius įjungtas pagal bendrojo emiterio schemą, vietoje galime nagrinėti tranzistoriaus įėjimo įtampos pokytį, o vietoje– kolektoriaus srovės pokytį. Tada

Pagal IE ≈ IEs [exp(qUEB / kT) -1] ir |IK| = AIE + IK0 tranzistoriaus kolektoriaus ir emiterio sroves galime išreikšti formulėmis:

čia– kolektoriaus srovė tranzistoriaus darbo taške Q. Kai T = 300 K, tai 0,025 V. Tuomet

2.2 Sudaryti tranzistoriaus Π pavidalo ekvivalentinės grandinės schemą, rasti jos elementų parametrus.

Nurodytame darbo taške IkQ = 10 mA. Ekvivalentinės grandinės parametrus skaičiuojame pagal tokias formules:

Siekiant užtikrinti minimalų filtro slopinimą ir tai, kad keitiklio efektyvumas būtų maksimalus, jo pagrindo medžiagą parenkame tokią, kad keitiklio strypų skaičius N būtų artimas optimaliam strypų skaičiui, kuris priklauso nuo garsolaidžio medžiagos.

Iš gautos DAch galime įsitikinti, kad tai juostinis filtras pavaizduoto teorinio juostinio filtro DAch su musu gautu DAch , kas atitinka mūsų pradines užduoties sąlyga. Šio juostinio filtro centrinis dažnis 66 MHz, pralaidumo juostos plotis 6 MHz.

  • Elektrotechnika Kursiniai darbai
  • 2017 m.
  • Lietuvių
  • Gytis
  • 29 puslapiai (2822 žodžiai)
  • Universitetas
  • Elektrotechnikos kursiniai darbai
  • Microsoft Word 586 KB
  • Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas kursinis
    10 - 1 balsai (-ų)
Terminės difuzijos proceso tyrimas, tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemų sudarymas ir akustoelektroninio įtaiso projektavimas kursinis . (2017 m. Balandžio 25 d.). http://www.mokslobaze.lt/termines-difuzijos-proceso-tyrimas-tranzistoriu-ekvivalentiniu-grandiniu-schemu-sudarymas-ir-akustoelektroninio-itaiso-projektavimas-kursinis.html Peržiūrėta 2017 m. Gruodžio 13 d. 20:40