Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai (2)


Eksperimento teorinis pagrindimas. Darbo priemonės ir medžiagos. Tranzistoriaus savybių bandymas. Ie , Ib ir Ic matavimai. NPN tranzistoriaus savybių bandymas. Ie , Ib ir Ic matavimai. Tranzistoriaus statinių charakteristikų matavimas ir braižymas.


BK schema nestiprina įtampos ir nekeičia fazės, todėl šį schema dar vadinama emiteriniu kartotuvu. Naudojama varžų suderinimui tarp atskirų pakopų, galios stiprinimui. Skaičiavimui naudojamos tokios pat tranzistoriaus charakteristoks kaip ir BE schemai.

Pastatykite KL-23002 modulį KL-200 tiesinės grandinės laboratorijoje, po to suraskite dalį, pažymėtą 23002-block a.

a. Įstatykite trumpo jungimo kaištį kaip parodyta 23002-block a.1 paveiksle

Ib, Ic ir Ie matavimui prijunkite ampermetrus. Jei neturite pakankamai

ampermetrų, tai jų pradinio prijungimo vietos, kurios dar neišmatuotos, gali

Nustatykite VR2 (VR10K) taip, kad Ic = 3mA, po to didžiausią vertę (Ic(sat)).

5-2-1 NPN tranzistoriaus savybių bandymas. Ie, Ib ir Ic matavimai

  • Elektronika Laboratorinis darbas
  • Microsoft Word 164 KB
  • 2018 m.
  • Lietuvių
  • 5 puslapiai (654 žodžiai)
  • Kolegija
  • Domantas
  • Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai (2)
    10 - 1 balsai (-ų)
Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai (2). (2018 m. Sausio 08 d.). https://www.mokslobaze.lt/bipoliariniu-tranzistoriu-savybiu-tyrimai-2.html Peržiūrėta 2018 m. Vasario 26 d. 06:01
×