Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai


Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai. Pnp tranzistoriaus savybių bandymas. Ie , Ib ir Ic matavimai. NPN tranzistoriaus savybių bandymas. Ie , Ib ir Ic matavimai. Tranzistoriaus statinių charakteristikų matavimas ir braižymas.

Pnp tranzistoriaus savybių bandymas. Ie, Ib ir Ic matavimai.

Tranzistoriai pajūngti bendro emiterio atveju. Bendro emiterio atveju didelę reikšmę tranzistoriaus įsisotinimui turi užduodama bazės srovė. Bazės srovei didėjant, kolektoriaus srovės įsisotinimo taškas kyla. Taip pat kolektoriaus srovė priklauso nuo prijungtos kolektoriaus - emiterio įtampos. Kolektoriaus - emiterio įtampai kylant iki soties taško, kolektoriaus srovė didėja staiga, po to srovės didėjimas išlieka mažas.

  • Microsoft Word 42 KB
  • 2015 m.
  • 5 puslapiai (394 žodžiai)
  • Kolegija
  • Lukas
  • Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai
    10 - 4 balsai (-ų)
Peržiūrėti darbą
Bipoliarinių tranzistorių savybių tyrimai. (2015 m. Balandžio 09 d.). https://www.mokslobaze.lt/bipoliariniu-tranzistoriu-savybiu-tyrimai.html Peržiūrėta 2021 m. Gegužės 06 d. 12:30
Peržiūrėti darbą
×
40 mokytojų prisijungę laukia tavo klausimo