Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (2)


Difuzijos procesas. Priemaišų pasiskirstymas. Difuzinio srauto tankio ir legiravimo dozės kitimas. dvipolio tranzistoriaus h parametrai. tranzistoriaus П pavidalo ekvivalentinės grandinės schema Kintamąją išėjimo srovės dedamąją, kai kintamosios įėjimo įtampos amplitudė yra 51 mV. Akustinės elektronika. Paviršinio akustinių bangų juostinio filtro skaičiavimai. Literatūra. Priedai.


Pasinaudoję MATLAB programiniu paketu, gauname tokias priemaišos srauto tankio J(0,t) (1.2 pav) ir legiravimo dozės Q(t) (1.3) priklausomybes nuo laiko (t – šiuo atveju parinkome 27min.).

Iš gautų priemaišų srauto tankio (1.2 pav) J ir priemaišų legiravimo dozės (1.3 pav) Q priklausomybių matyti, kad laikui bėgant priemaišų srauto tankis mažėja, nes priemaišos į plokštelę skverbiasi per joje esančias vakansijas (taškiniu kristalo defektų vietas) arba tarpmazgius. Legiravimo dozė laikui bėgant didėja, nes vis daugiau priemaišų prasiskverbia į puslaidininkio plokštelę.

Priemaišų pasiskirstymą po priemaišų perskirstymo etapo galime apskaičiuoti pagal formulę:

Ats.: Prie tranzistoriaus prijungus 649Ω apkrovos varžą, tranzistoriaus išėjime įtampa bus 149 kartus didesnė nei įėjime.

3.1 paveiksle pateiktos lauko tranzistoriaus charakteristikos. Tranzistoriaus UGS = 0.5 V,

3.1. Nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas kai UDS =3, 5, 7V

Tam kad nubraižyti lauko tranzistoriaus perdavimo charakteristikas, sudarau reikšmių lentelę. Reikšmės apskaičiuotos iš lauko tranzistoriaus išėjimo charakteristikų (3.1 pav):

  • Microsoft Word 1427 KB
  • 2017 m.
  • Lietuvių
  • 23 puslapiai (2650 žodžiai)
  • Universitetas
  • Modestas
  • Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (2)
    10 - 1 balsai (-ų)
Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas (2). (2017 m. Gruodžio 02 d.). https://www.mokslobaze.lt/elektronikos-itaisu-ir-ju-gamybos-procesu-modeliavimas-ir-tyrimas-2.html Peržiūrėta 2018 m. Liepos 21 d. 04:56
×