Tranzistorinis įtampos stiprintuvas (3)


Tranzistorinis įtampos stiprintuvas (3). Teorinė dalis. Uždavinys. Tranzistoriaus įėjimo charakteristika. Tranzistorinio įtampos stiprintuvo darbą paaiškinantys grafikai. Tranzistorinis įtampos stiprintuvas.


nes Rb >> h11E., čia h11E – tranzistoriaus įėjimo varža (h- parametrų sistemoje).

čia h11E ir h22E – tranzistoriaus h parametrai bendro emiterio jungimui.

Didėjant dažniui mažėja tranzistoriaus h21E parametro vertė (mažėja srovės stiprinimas tranzistoriuje), todėl mažėja ir KUv (žiūrėk (1.2)).

  • Inžinerija Namų darbas
  • Microsoft Word 102 KB
  • 2017 m.
  • Lietuvių
  • 7 puslapiai (2136 žodžiai)
  • Universitetas
  • Andrejavas
  • Tranzistorinis įtampos stiprintuvas (3)
    10 - 1 balsai (-ų)
Tranzistorinis įtampos stiprintuvas (3). (2017 m. Spalio 16 d.). https://www.mokslobaze.lt/tranzistorinis-itampos-stiprintuvas-3.html Peržiūrėta 2018 m. Vasario 21 d. 05:34
×