7 pn sandūrų talpų tyrimas

Išsiaiškinti pn sandūros barjerinės ir difuzinės talpų prigimtį, išnagrinėti, nuo ko, k1) susipažinome su laboratoriniu maketu ir matavimo prietaisais. Šiame laboratoriniame darbe tiriamų diodų maksimali atgalinė įtampa umax=10v, harmoninių virpesių generatoriaus išėjimo įtampo4) nustatėme diodų d219a ir d310 barjerinės talpos priklausomybes nuo atgalinės įtampos ur. Pagal gradavimo kreivę radome diodo barjerinės įtampos cb vertes, atitinkančias gautąsias įtampos uiš vertes. Apskaičiavome cb-2 ir cb-3 vertes ir užpildėme atitiprie pn sandūros prijungus atgalinę įtampą pasireiškia pn sandūros barjerinė talpa cb. Ši talpa priklauso nuo prijungtos atgalinės įtampos, priemaišų atomų koncentracijos puslaidininkyje ir pn sandūros ploto. Bandymo metu ištirtų diodų barjerinės talpos skiriasi dėl to, jog diodai pagaminti iš skirtingų puslaidininkių (skiriasi kontaktinis potencialų skirtumas uk). Taip pat gali skirtis priemaišų atomų koncentracijos bei pn sandūrų plotas.

Pn sandūros barjerinė talpa cb didėjant atgalinei įtampa ur mažėja. Taip yra todėl, jog veikiant atgalinei įtampai n srities elektronai pasislenka link teigiamojo, o p srities skylės – link neigiamojo poliaus ir pn sandūros (nuskurdinto sluoksnio) storis padidėja. Modeliuojant pn sandūrą kaip plokščiajį kondensatorių tampa aišku, jog kuo didesnis pn sandūros storis, tuo mažesnė jos cb.

Kadangi abiejų diodų cb-3(ur) priklausomybės yra tiesinio pobūdžio, galime teigti, jog diodų pn sandūros yra tolydinės, Priemaišų atomų koncentracijos p ir n srityse kinta. Iš grafiko matome, jog diodų kontaktiniai potencialų skirtumai skiriasi. Diodų kontaktiniai potencialų skirtumai skiriasi dėl to, jog diodai pagaminti iš skirtingų puslaidininkių (t. Skiriasi savųjų s. Štaras. Elektronikos pagrindai. – vilnius, technika. – 80p.