Elektronikos įtaisų ir jų gamybos procesų modeliavimas ir tyrimas

Šiame darbe atliksiu terminės difuzijos proceso tyrimą, sudarysiu tranzistorių ekvivalentinių grandinių schemas ir atliksiu tranzistorių parametrų skaičiavimus ir atliksiu akustoelektroninio įtaiso projektavimą.

Su duotais duomenimis ir kompiuterine programa „MATLAB“ apskaičiuojame difuzijos srauto tankį ir legiravimo dozę. Gauname tokius grafikus:

Atliekame skaičiavimus su kompiuterine programa MATLAB ir gauname toki grafiką:

čia D - difuzijos koeficientas; t - laikas; N0 - priemaišų koncentracija bandinio paviršiuje. Priemaišų pasiskirstymas po įterpimo etapo skaičiuojamas pagal formulę:

Savarankiškai buvo pasirinkta pradinė priemaišų koncentracija, kuri lygi 1(1015 (1/cm3). Tai priemaišų koncentracija plokštelės, kurioje bus formuojamas tranzistorius. Ši koncentracija pasirinkta žymiai mažesnė už įterpiamų priemaišų koncentraciją, tai buvo padaryta tam, kad įterpiant kito tipo priemaišas, kurių koncentracija žymiai didesnė, būtų pakeistas plokštelės laidumo tipas ir susiformuotų tranzistoriaus sritys, emiteris bazė ir kolektorius.

Žinodami tranzistoriaus h parametrus mes galime apskaičiuoti ekvivalentinės grandinės parametrus. Iš surasto h parametro (perdavimo koficijanto) β = h21E = 185,75 galime rasti tranzistoriaus emiterio srovę, darbo taške.

3.2 Lauko tranzistoriaus parametrai darbo taške

Pagrindiniai lauko tranzistoriaus parametrai yra statumas S ir išėjimo varža kintamajai srovei Ri. Statumas S = gm apskaičiuojamas iš perdavimo charakteristikų, o išėjimo varža Ri iš įėjimo charakteristikų.

Bandysime suprojektuoti vieną iš akustinės elektronikos elementų PAB filtrą.